Sección 1
1- ELEMENTOS DE MICROELECTRÓNICA
1.1- Cristal PN sin Excitar; 1.2- Semiconductor Intrínseco
(pagina. 1); 1.3- El Hueco(pag.2); 1.4- Conducción en
Semiconductores Intrínsecos(pagina.3); Tabla 1 Propiedades
del Silicio Intrínseco (pagina 4); 1.5- Semiconductores Extrínsecos
(pagina 5) – Dopado(pagina.5); 1.5.1- Variaciones en las Propiedades
del Silicio; 1.5.2- Variación de la Tensión de Ruptura por
el Dopado; 1.5.3- Concentración Intrínseca(pagina 5);
1.6- Movilidad; 1.7- Conductividad s(pagina 5); 1.8- Difusión
(pagina 6); 1.9- Unión en un Circuito Abierto(pag.6);
1.9.1- Región de Carga Espacial(pagina.7);- 1.10.- Efectos Parásitos
en Transistores Integrados(pag.8);- 1.11- Transistores como Diodos(pag.9
a 10).
Sección
2
2- FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS
2.1-TECNOLOGÍA DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLÍTICOS
– MICROELECTRÓNICA(pagina 1).
2.2- PROCESO PLANAR(pag.4)
2.2.1) Crecimiento del Cristal del Sustrato – Producción de
la Oblea; 2.2.2) Crecimiento Epitaxial(pagina 4); 2.2.3) Oxidación
(Pagina 5); 2.2.4) Fotolitografía(pagina.5); Eliminación
selectiva del SiO2; Se dibuja una representación amplia
en blanco y negro; ; Se revela; El chip se sumerge en una solución
corrosiva; La disposición del chip se obtiene con la ayuda
de un ordenador; El dibujo del circuito se subdivide en varios niveles:
niveles de enmascarado; 2.2.5) Difusión(pagina.6); Introducción
de impurezas con concentraciones controladas; 2.2.6) Implantación
de Iones(pagina.7); Segundo procedimiento para introducir impurezas;
2.2.7) Mentalización(pagina.8); Evaporación en alto
vacío(pagina.8). 2.3 Técnica de Película Delgada
[ 8 ](pagina 8); Figura Nº 2.10 Diagrama de Flujo(pagina 9); Película
delgada: Desarrollo Básico de la Técnica [11] (pagina 10
a 12). Estructura película delgada vs. Película
gruesa[12](pagina 12 a 13). Película delgada multicapa
encapsulado[ 12 ](pagina 13 a 14). Ejemplos de Multicapa de Película
Delgada.(pagina 14 a 16).
Sección
3
3- FABRICACION DE TRANSISTORES BIPOLARES
La fabricación del BJT planar para circuitos monolíticos;
La fabricación de resistencias; 3.1- Fabricación de
Transistores(pagina 1); Difusión superficial de emisor;
3.2- Capa Enterrada(pagina.3); 3.3- Fabricación del TR PNP(pagina
3); El PNP lateral y el PNP vertical; Transistor PNP
parásito; 3.3.1- Transistor Parásito(pagina.3 a 4).
Sección 4
4- FABRICACIÓN DEL FET
4.1- Fabricación del NMOS de Acumulación(pagina 1);
Silicio policristalino(pagina.1). Polisilicio sobre la oblea(pag.1);
4.1.1- Autoaislacion(pagina.4); 4.2- Transistores NMOS de Deplexion(pagina
4); 4.2.1- Largo y Ancho de Puerta(pagina.4); 4.3- Fabricación
de JFET(pagina.5); 4.4- Tecnología CMOS(pag.5); Asiento
de tipo n implantado o difundido en el sustrato p; Implantación
de iones de las regiones de fuente y drenaje tipo p del PMOS; 4.5-
Diodos monolíticos(pag.6); 4.5.1- Características del Diodo
(pag.8).
Sección 5
5-RESISTENCIAS INTEGRADAS
5.1- Resistencia Pelicular; 5.2- Resistencias Difundidas (pag.1); Tabla
1. Parámetros Típicos de Resistores Integrados Difundidos
(pagina.2); 5.2.1Coeficiente de Temperatura (pagina.3); 5.3-Resistencias
de Estriccion (pagina.3); 5.4- Resistencias de Película Delgada
(pag.3).
Sección 6
6- CONDENSADORES INTEGRADOS
6.1- Condensador de Unión(pag.1); 6.2-Condensadores MOS y de
Película Delgada(pag.2 a 3). 6.3 Proceso de deposición
dieléctrico [4] (pagina 3 a 7). 6.4 Margenes de
funcionamiento según el proceso de
depositado (pagina 8); 6.4.1 Limites de Frecuencia de resistores Peliculares
(pagina 8); 6.4.2 Efecto de la Temperatura en Capacitores Difundidos
(pagina 10); 6.4.2 Efecto de la Temperatura en Capacitores Difundidos
(pagina 10 a 11).
Sección
7
7-INGENIERIA DE LOS CI Y CIRCUITOS MICROELECTRONICOS
7.1-Encapsulado de Circuitos Integrados; - 7.2- Síntesis de
las características de los componentes integrados(pag.1); - 7.3-
Disposición de los circuitos Microelectronicos(pag.1); - 7.3.1 Circuitos
Bipolares(pagina 1); 7.3.2- Circuitos MOS; 7.3.3- Cruces
de Conexiones(pag.2); 7.3.4- Trazado con Computador(pag.2); - 7.4-
Método de interconexión para Microcircuitos; - 7.4.1-
Soldadura por Resistencia Eléctrica(pagina.2); 7.4.2- Soldadura
por Haz de Electrones(pagina.3); 7.4.3- Soldadura por Láser(pag.5);
7.4.3.1- Soldadura Directa por Radiación Láser [ 9 ](pagina
6); 7.4.4- Soldadura por Termo compresión(pagina 7) La Termocompresion
[9](pagina 7); TABLA 1.1(pagina 11); 7.4.4- Soldadura
por Termo compresión(pag.7); 7.4.4.1- Soldadura por Termo
compresión por Cuña; 7.4.4.2- Soldadura por Termo compresión
por Cabeza de Clavo(pag.11); 7.4.5- Soldadura por Ultrasonido(pag.11).
7.4.5.1- Soldadura Ultrasónica [ 9 ](pagina 12); TABLA 1.2(pagina
12 a 13); 7.5 Sobrecargas en microelectrónica
(pagina 13 a 16).
Sección
8
8- APLICACIONES TÉCNICAS DE INTEGRACIÓN
La confiabilidad; 8.1- Integración y Secuencia de Deposición
para el Amplificador Diferencial(pag.1); 8.1.1- Efectos Geométricos
en la disposición del Circuito (pagina.2); 8.1.2-
Secuencia de Deposición para el Amplificador Diferencial(pagina.2);
mascaras de molibdeno; El primer material depositado es nicromo;
soldadura con electrodo partido; La segunda deposición:
Seleniuro de Cadmio; El tercer material que se deposita es el Monóxido
de Silicio SiO; Resistividad superficial; Tabla de Materiales
por Orden de Deposición para Circuitos de PD(pagina.4);
8.2 Encapsulado funcional aplicado al diseño
de un computador (pagina 4 a 10); 8.2.1 Flexibilidad de la
Lógica (pagina 10 a 11); 8.2.1.1 Como Puede Afectar al Diseño
Lógico el Numero de Elementos de Almacenamiento (pagina 11).
8.3 Integracion de un circuito NO-O (pagina 16)
; 8.3.1 Una Caja Negra Necesita Especificaciones Determinadas (pagina 16);
8.3.2 Planeamiento del Diseño del Circuito y Configuración
de las Mascaras (pagina 17); TABLA 1: Parámetros de Diseño
de la Compuerta NO-O (pagina 19); 8.3.3 Los Ensayos de Tensión
de Saturación (pagina 17); TABLA 2 Características
Eléctricas de la Compuerta NO-O (pagina 20).
Sección 9
9- INDUCTORES INTEGRADOS; 9.1- Diseño inductores en película
delgada PD.
9.1.1- Diseño de Bobinas en Espiral en PD(pag.1);
Tabla Nº 1. Características de Tres Bobinas Cuadradas
en Espiral(pag.6); Tabla Nº 2 Valores Calculados y Medidos
para dos Bobinas Planas(pagina.7).
Seccion 10
10 SISTEMAS INTEGRADOS; 10.1 CCD -Dispositivos
acoplados en carga.(pagina 1); 10.2 Funcionamiento Básico
del CCD (pagina 1); 10.2.1 Electrodos por Bit (pagina 3); 10.3
Estructuras CCD (pagina 3); 10.4 Formaciones logicas (pagina 4);
10.4.1 Elementos Básicos de la Formación (pagina 5); 10.4.1.1
Las Conexiones Diagonales son Importantes (pagina 6); 10.4.1.2
Modelos para Ensayar las Formaciones.(pagina 6 a 8).
Seccion 11
11 AMPLIFICADORES INTEGRADOS; 11.1 Amplificador
de pelicula delgada [15]; 11.1.1 Amplificador de Interfase
Metálica. (pagina 1 a 2).
BIBLIOGRAFÍA
|
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